Создана установка плазмохимического осаждения на 300-мм кремниевых пластинах

Российская компания НИИТМ, расположенная в Зеленограде (Москва), завершает разработку и представляет опытный образец первой отечественной установки для плазмохимического осаждения на 300-миллиметровых кремниевых пластинах. Это оборудование играет ключевую роль в развитии российской микроэлектронной промышленности. Ранее подобные установки закупались за рубежом, а доступные отечественные аналоги работали только с пластинами меньшего диаметра, что ограничивало объемы производства чипов и повышало их себестоимость.

Проект по созданию установки стартовал в 2021 году, и менее чем за четыре года специалистам удалось разработать и внедрить действующий образец. Новое оборудование поддерживает не только текущие 350-нм техпроцессы, которые уже реализуются на отечественных мощностях, но и перспективные технологии, включая производство интегральных схем с топологией 28 нанометров.

Установка построена по модульному принципу, что позволяет легко адаптировать её под потребности конкретных производств. Опытный образец включает четыре технологических модуля, объединённых роботизированной транспортной системой для перемещения пластин. Кроме того, специалисты НИИТМ разработали специализированное программное обеспечение и систему управления для новой установки.

В 2025 году планируется провести испытания оборудования в НИИ молекулярной электроники (НИИМЭ, Зеленоград). Примечательно, что в НИИМЭ также ведётся разработка собственного кластера для плазмохимического осаждения, ориентированного на техпроцессы 90-65 нанометров.

Создание российской установки для работы с 300-миллиметровыми кремниевыми пластинами становится важным шагом на пути к формированию независимой микроэлектронной промышленности в стране. Это достижение способствует снижению зависимости от импортного оборудования и укреплению технологического суверенитета России.

Кстати, подписаться на телеграм проекта «Сделано у нас» можно здесь