В следующем месяце Samsung представит 290-слойную память V-NAND
Компания Samsung Electronics начнет выпуск нового типа памяти 3D NAND 9-го поколения.
Что это за память и в чем ее преимущество разберем вместе с экспертами компании «ЗУМ-СМД».
Практические свойства памяти серии NAND
Основной особенностью новых стеков памяти 3D NAND является наличие 290 слоев. Ее выпуск крупнейшая компания Samsung будет осуществлять в ближайшее время. В планах на следующий год продвижение по вертикальной оси достигнет отметки в 430 слоев. Технология 3D V-NAND дебютировала в 2013 году, после того как традиционная 2D-структура исчерпала свои возможности расширения.
Компьютер автора статьи, как и многие современные ПК, работает на памяти 2D NAND. По сравнению с классическими HDD — это передовая технология. Своего рода революция скорости и надежности сохранности записанной информации. За последний десяток лет автору пришлось поменять несколько жестких дисков HDD, но еще ни одна SDD типа NAND не выработал свой ресурс. Не говоря уже о том, что скорость обмена информацией не годится ни в какое сравнение в пользу твердотельных компактных модулей памяти.
Память MLC 2D NAND выпускают такие компании:
- Samsung;
- SanDisk;
- Intel;
- Micron;
- Toshiba.
Наиболее усовершенствованные и дешевые TLC 2D NAND производят только две первые корпорации из списка.
Пороговое значение износа памяти — вовсе не значит выход из строя модуля, как и то, что после исчерпания этого ресурса обязательно возникнут проблемы. Указываемое значение берется с 2,5-кратным запасом, как минимум. По информации японских блогеров твердотельный накопитель Samsung 840 EVO перестал записывать информацию только после 6-кратного превышения установленного производителем ресурса.
Интересно еще и то, что многие SSD-диски памяти NAND после отказа записи могут еще долго производить считывание ранее записанной информации. По сравнению с HDD аналогами, которые ломаются быстро и безвозвратно, это свойство является очень весомым преимуществом. От полного и внезапного выхода из строя ни один модуль не застрахован. Но это случается только в редких случаях.
Как будет вести себя новая память 3D Y-NAND, имеющая почти три сотни слоев, покажет время. Ведь спайка нескольких тысяч соединений предполагает наличие дополнительных рисков появления неисправности. Однако высокотехнологичное производство подобных изделий может значительно сократить вероятность их проявления. Также новая многослойная технология уже не нуждается в высокой минимизации размеров условных транзисторов, достаточно техпроцесса в 30 — 40 нм.
Невыгодным становится уменьшение размеров кристалла микросхем памяти 2D NAND по таким причинам:
- Оборудование для литографии по техпроцессу 10 нм или менее и его обслуживание стоит очень дорого. Для производства микросхем памяти оно становится нерентабельным.
- При техпроцессе 20 нм и менее проблема ёмкостных связей усугубляется тем, что функция устранения неисправностей (EEC) задействована максимально. Таким образом убыточно увеличивается время производства и затраты на его произведение.
Оптимизация структуры микросхем памяти в сторону наращивания количества слоёв по предварительным оценкам специалистов показала высокие результаты. Для производителя это будет вдвойне выгодно, надеемся, что и для пользователей тоже.